LED顯示芯片的制造過程概述

[ 信息發布:本站 | 發布時間:2020-05-08 | 瀏覽:738 ]

總的來說,LED制作流程分為兩大部分:

首先在襯低上制作氮化鎵(GaN)基的晶圓,這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積晶圓爐(MOCVD)中完成的。準備好制作GaN基晶圓所需的材料源和各種高純的氣體之后,按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍寶石、碳化硅和硅襯底,還有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用氣相反應物(前驅物)及族的有機金屬和族的NH3在襯底表面進行反應,將所需的產物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應物濃度和種類比例,從而控制鍍膜成分、晶相等質量。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設備。

然后是對LED PN結的兩個電極進行加工,電極加工也是制作LED芯片的關鍵工序,包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨;然后對LED毛片進行劃片、測試和分選,就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不夠干凈,蒸鍍系統不正常,會導致蒸鍍出來的金屬層(指蝕刻后的電極)會有脫落,金屬層外觀變色,金泡等異常。

蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定芯片,因此會產生夾痕(在目檢必須挑除)。黃光作業內容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等,若顯影不完全及光罩有破洞會有發光區殘多出金屬。

晶粒在前段制程中,各項制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨等作業都必須使用鑷子及花籃、載具等,因此會有晶粒電極刮傷情形發生。

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